В 2026 году компания Resonac Corporation начала выпуск фтористого водорода (HF) высокой чистоты на своем заводе в городе Шунан, префектура Ямагучи, Япония. Эти мощности дополнят существующее производство в городе Кавасаки, префектура Канагава, и в распоряжении компании будут две площадки по получению этого продукта на территории Японии.
Фтористый водород используют в процессах травления полупроводниковых схем, и спрос на него растет благодаря развитию таких передовых решений, как криогенное травление. В полупроводниковой отрасли усложняются геометрия и строение оборудования. Предприятия нуждаются в надежном снабжении газами высокой чистоты, а поставщики наращивают мощности по их производству, чтобы идти в ногу с развитием полупроводниковых технологий.
Появление все новых центров обработки данных и сфер применения искусственного интеллекта влечет за собой совершенствование конструкции микросхем. Трехмерные структуры высокой плотности требуют глубокой и тонкой обработки элементов. Все шире применяется криогенное травление при крайне низких температурах для защиты боковых стенок и точного формирования микроструктуры. Оно может стать основной технологией для этих передовых решений.
Газообразный фтористый водород высокой чистоты играет важную роль в таких процессах. Он особенно полезен для удаления оксидной пленки, так как даже малейшие примеси могут существенно повлиять на выпуск продукции и эффективность оборудования.
Все больше средств вкладывают в производство газов высокой чистоты, передовые технологии очистки и повышение надежности отгрузок. Проектные подрядчики, поставщики оборудования, логистические компании и технологические партнеры, обслуживающие предприятия, занятые в сферах полупроводников, энергетики и высоких технологий, также развивают свою деятельность. Производство на двух площадках позволяет повысить надежность поставок и привести мощности в соответствие со сложностью процессов и повышающимися требованиями клиентов.
Компания Resonac Corporation продолжает удовлетворять потребности расширяющегося рынка полупроводниковых материалов.
