.jpg)
В Китае создали высокоэнергетический имплантер водородных ионов для полупроводниковой отрасли. Первый в стране аппарат данного типа получил название POWER-750H, а его характеристики соответствуют передовым международным стандартам.
Устройство играет ключевую роль в производстве полупроводников, используя ускоренные ионы для внедрения точно дозированных примесей в кремниевые пластины. Опираясь на многолетний опыт в ядерной физике и технологии ускорителей, Китайский институт атомной энергии применил методы тандемного ускорения, достигнув полной самостоятельности в проектировании.
Этот прорыв охватывает этапы от фундаментальных принципов до интеграции полной системы, что позволяет производить тандемные высокоэнергетические имплантеры водородных ионов в Китае.
Ионная имплантация считается одним из четырех основных инструментов в производстве чипов. Разработка такого оборудования сопряжена с серьезными техническими трудностями, требующими контроля множества параметров в нанометровом и даже атомном масштабе для обеспечения необходимой точности. Стабильность ионного пучка критически важна для производительности чипов, а оборудование должно надежно работать в течение длительного времени в промышленных условиях.
Данное достижение знаменует собой значительный шаг в укреплении инфраструктуры полупроводникового производства в Китае, что включает в себя прогресс в областях травления, литографии, проектирования чипов и разработки специализированного программного обеспечения.
